[发明专利]一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法

摘要

本发明涉及一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法，半导体薄膜场效应管由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铪薄膜、氧化铝薄膜、源极及漏极。本发明在不稳定的二维材料沉积氧化铪薄膜，在氧化铪薄膜上沉积氧化铝薄膜，氧化铝薄膜在后期的微纳加工工艺中将起到包覆半导体材料，隔绝空气与工艺溶剂的作用。并且在器件制备完毕后，器件沟道上的氧化铝薄膜作为缓冲层将进一步保护材料的性质，从而使得器件性能可以长时间稳定。氧化铝薄膜质量高，禁带宽度大，光透过谱范围较大，适合光电器件的制作。

主权项

1.一种不稳定的二维材料的半导体薄膜场效应管的制备方法，所述半导体薄膜场效应管由下至上依次包括硅片衬底、不稳定的二维材料、氧化铪薄膜、氧化铝薄膜、源极及漏极，其特征在于，包括步骤如下：/n(1)制作带有对准标记的硅片衬底，作为转移基底；/n(2)将20-80nm的二维材料转移到硅片衬底上；/n(3)在步骤(2)得到的器件的表面沉积氧化铪薄膜；/n(4)在步骤(3)得到的器件的表面沉积氧化铝薄膜；/n(5)旋涂光刻胶，烘胶，使用紫外曝光或电子束曝光，制作源极电极图形和漏极电极图形；/n(6)将步骤(5)制作的器件进行刻蚀，将氧化铪薄膜及氧化铝薄膜刻蚀掉，露出不稳定的二维材料；/n(7)沉积Ti/Au金属膜；/n(8)将器件放置在丙酮中做剥离处理；/n(9)在150-200℃条件下对步骤(8)制备的器件退火1h，即得。/n