[发明专利]模拟失重大鼠的植入式微纳电极阵列芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910904236.0 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN110623655A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 王昊;蔡新霞;刘军涛;陆泽营;谢精玉;宋轶琳;徐声伟;肖桂花 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: A61B5/04 分类号: A61B5/04;A61B5/00
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 吴梦圆
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种植入式微纳电极阵列芯片及其制备方法,该芯片包括硅针基底、微电极阵列、对电极、电化学参比电极和电生理参比电极;其中,硅针基底分布于所述芯片前端的植入部分与后端的接口部分;在每根硅针尖端上表面分布多个微电极,所述多个微电极构成微电极阵列;在单根硅针或者多根不同硅针上面靠近所述微电极阵列的位置处设置有对电极、电化学参比电极和电生理参比电极。本发明微电机阵列硅针长度依次递减,4根硅针上面分布4组微电极阵列,用于同时检测大脑皮层、海马区与丘脑区的电生理信号,避免多次植入损伤,能长时间连续检测。
搜索关键词: 硅针 微电极阵列 参比电极 电化学 电生理 对电极 微电极 基底 植入 芯片 电生理信号 大脑皮层 时间连续 依次递减 阵列芯片 海马 纳电极 丘脑区 上表面 微电机 位置处 检测 单根 制备 损伤 种植
【主权项】:
1.一种植入式微纳电极阵列芯片,其特征在于,包括:硅针基底、微电极阵列、对电极、电化学参比电极和电生理参比电极;/n其中,硅针基底分布于所述芯片前端的植入部分与后端的接口部分;在每根硅针尖端上表面分布多个微电极,所述多个微电极构成微电极阵列;在单根硅针或者多根不同硅针上面靠近所述微电极阵列的位置处设置有对电极、电化学参比电极和电生理参比电极。/n
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