[发明专利]光掩模坯料及其制造方法在审
| 申请号： | 201910904266.1 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110609437A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/78;G03F1/36 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈曦;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模坯料 无机膜 抗蚀膜 硅烷化处理 制造 抗蚀剂残渣 透明基板 光掩膜 坯料 显影 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，/n其特征在于，/n在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成含有羟基苯乙烯系树脂的前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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