[发明专利]一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910904527.X | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110610998A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张树德;魏青竹;钱洪强;况亚伟;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215542 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及制备方法，其电池正表面的整体复合速率进一步降低。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，背面钝化层形成于P型硅基体层背面，背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触，N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面，N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，氧化硅薄层上覆盖形成有N | ||
| 搜索关键词： | 背面钝化层 多晶硅层 晶硅太阳电池 氧化硅薄层 正面钝化层 背面电极 欧姆接触 正面电极 钝化 整体复合 上表面 图形化 正表面 绒面 制备 制绒 背面 电池 穿过 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池，包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极，所述背面钝化层形成于所述P型硅基体层背面，所述背面电极形成于所述背面钝化层上且局部穿过所述背面钝化层而和所述P型硅基体层形成欧姆接触，所述N型硅掺杂层形成于所述P型硅基体层的正面，其特征在于：所述N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层，所述氧化硅薄层上覆盖形成有N
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院，未经苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910904527.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种局部钝化接触结构的制备方法
- 下一篇：一种提高光伏效率的蓝膜太阳能板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
