[发明专利]一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法

摘要

本发明公开了一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，具体包括如下步骤：101)转接板制作步骤、102)底板制作步骤、103)键合步骤、104)芯片安置步骤；本发明通过在芯片底部设置导热金属或者导热管道，使热量能够快速的导到散热底座中，然后通过在散热底座中设置多层微流道液相散热通道，散热通道中冷却液采用不同的流动方向运动，以此来平衡不同层别以及不同芯片一侧的微流道中液体的温度，使微流道在芯片底部的散热能力趋于一致的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法。

主权项

1.一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)转接板制作步骤：通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在转接板上表面制作微流道凹槽和TSV孔；微流道凹槽设置在TSV孔两侧；转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；转接板上表面制作RDL；/n减薄转接板下表面使TSV孔的底部露出，通过光刻和电镀工艺在转接板下表面制作焊接焊盘；/n102)底板制作步骤：通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在底板上表面制作微流道凹槽和TSV孔；微流道凹槽设置在TSV孔两侧；底板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；底板上表面制作RDL；/n103)键合步骤：通过焊接的方式把步骤101)的转接板和步骤102)底板键合形成带有多层微流道凹槽的散热底座；其中，转接板的TSV孔和底板的TSV孔贯通形成孔洞；/n104)芯片安置步骤：孔洞中填充导热介质；或者对孔洞的侧壁或整个进行电镀金属形成种子层，然后对孔洞进行导热介质填充；切割散热底座成单个模组，在孔洞上面焊接功率芯片，且连通微流道凹槽，形成具有散热结构的三维射频模组。/n