[发明专利]一种三维异构堆叠方法在审
| 申请号： | 201910904875.7 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110690130A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维异构堆叠方法，具体包括如下步骤：101)垫层制作步骤、102)再次处理步骤、103)去除步骤、104)防溢步骤；本发明提供凸点或焊圈和焊盘金属就会有一定的距离为焊锡保留提供足够空间的一种三维异构堆叠方法。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 异构 三维 垫层 防溢 焊盘 焊圈 焊锡 凸点 去除 金属 保留 制作 | ||
【主权项】：
1.一种三维异构堆叠方法，其特征在于：具体包括如下步骤：/n101)垫层制作步骤：载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成垫层，垫层厚度范围在10nm到100um之间；或者通过物理溅射，磁控溅射、蒸镀工艺或者电镀金属在载板上表面制作垫层；/n通过光刻和刻蚀工艺去除部分垫层，剩余垫层形成凸点或焊圈；刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀；/n102)再次处理步骤：在垫层上制作种子层，种子层上涂布光刻胶，通过显影工艺去除部分种子层露出待电镀区域，电镀金属和顶层焊锡；且电镀的金属上表面形成与凸点或焊圈相一致的结构；/n103)去除步骤：去除光刻胶，湿法去除种子层；涂助焊剂，回流后清洗助焊剂得到表面带有焊锡层的凸点或焊圈；/n104)防溢步骤：将芯片设置在步骤103)的焊锡上形成新芯片模组，将新芯片模组与传统芯片模组进行焊接，使两者凸点或焊圈紧密结合形成凹槽区完成防溢锡结构三维堆叠。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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