[发明专利]一种基于石墨烯做散热涂层的三维异构模组的制作方法在审
申请号: | 201910905465.4 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110707058A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 郁发新;冯光建;王立平;王志宇;周琪 | 申请(专利权)人: | 杭州臻镭微波技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L21/50 |
代理公司: | 33283 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 董世博 |
地址: | 310030 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于石墨烯做散热涂层的三维异构模组的制作方法,具体包括如下步骤:101)散热转接板制作步骤、102)涂布石墨烯层步骤、103)键合步骤;本发明通过结合设置薄层石墨烯做散热材质,使发热芯片与石墨烯涂层充分接触,将表面发热部分的热量能快速的被石墨烯传导到整个表面,避免芯片局部过热的问题的一种基于石墨烯做散热涂层的三维异构模组的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 散热涂层 模组 异构 三维 制作 充分接触 发热芯片 局部过热 散热材质 涂布石墨 整个表面 转接板 散热 薄层 键合 传导 发热 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种基于石墨烯做散热涂层的三维异构模组的制作方法,其特征在于:具体包括如下步骤:/n101)散热转接板制作步骤:通过光刻,刻蚀工艺在散热转接板的下表面制作TSV孔,在散热转接板下表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成绝缘层,通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层,电镀金属,使金属填满TSV孔形成金属柱,在200到500度温度下密化金属;通过CMP工艺使散热转接板下表面金属去除,使散热转接板下表面只剩下填充的金属柱;/n102)涂布石墨烯层步骤:通过旋涂,气相沉积工艺在TSV孔的开口面涂布石墨烯涂层;通过光刻和刻蚀工艺去除覆盖在金属柱上的石墨烯涂层,其中刻蚀工艺包括干法刻蚀、湿法刻蚀和电子束刻蚀中的一种或多种;/n用临时载片与散热转接板设置石墨烯图层的面进行临时键合,通过研磨工艺减薄散热转接板的正面,使金属柱的底部露出;对散热转接板的正面通过沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成钝化层覆盖,再CMP工艺使金属柱露出,拆除临时载片;/n103)键合步骤:在发热芯片表面制作微凸点,通过热压键合的工艺把发热芯片键合在散热转接板的下表面上,使芯片底部跟散热转接板上的石墨烯涂层直接接触,形成三维异构模组。/n
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