[发明专利]一种金属填充弯管的垂直互联方法有效
申请号: | 201910905495.5 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN110676214B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 郁发新;冯光建;王永河;马飞;程明芳 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/48;H01L23/528 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属填充弯管的垂直互联方法,具体包括如下步骤:101)转接板制作步骤、102)注入金属步骤、103)成型步骤;本发明通过在高温下使金属熔融,然后在真空和大压力作用下,把液态金属填入到弯孔里面,冷却后形成弯孔内金属填充,同时避免了进行种子层沉积在沟槽这一步,节省了成本的一种金属填充弯管的垂直互联方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 填充 弯管 垂直 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金属填充弯管的垂直互联方法,其特征在于:具体包括如下步骤:/n101)转接板制作步骤:转接板包括上转接板和下转接板;上转接板和下转接板的上表面都通过光刻和干法刻蚀工艺制作TSV孔;在上转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成绝缘层,通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层;上转接板和下转接板表面制作焊盘;/n上转接板和下转接板的上表面还制作沟槽,沟槽与TSV孔联通;把上转接板和下转接板的上表面进行焊接形成转接板,其中上转接板和下转接板的沟槽联通;然后对转接板的上表面和下表面都进行减薄,使TSV孔的底部露出形成弯曲互联通道;/n102)注入金属步骤:步骤101)处理的转接板放入腔体中加热,并抽空弯曲互联通道中的气体,加热温度控制在50度到1000度之间;将低温熔融金属置于转接板上表面,通过压板施加压力,使低温熔融金属进入空弯曲互联通道中;翻转转接板,在转接板的下表面放置低温熔融金属,通过压板施加压力,使低温熔融金属完全填充满弯曲互联通道;/n103)成型步骤:对步骤102)的转接板进行冷却腔体,撤走压力盘,对转接板的上表面和下表面进行金属抛光去除,得到金属做介质的垂直互联通道。/n
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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