[发明专利]核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管有效
申请号: | 201910905524.8 | 申请日: | 2019-09-24 |
公开(公告)号: | CN112625671B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/02 | 分类号: | C09K11/02;C09K11/58;H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种核壳纳米材料及其制备方法、应用和量子点发光二极管。所述核壳纳米材料包括ZnS纳米核、包覆所述ZnS纳米核的Au壳层,所述ZnS纳米核和所述Au壳层之间由硅烷偶联剂连接;其中,所述硅烷偶联剂中的硅烷氧基与所述Au壳层相结合,所述硅烷偶联剂中的有机官能基与所述ZnS纳米核相结合。将该核壳纳米材料用于量子点发光二极管的电子传输层可以增大光的输出耦合以及复合发光速率,有效地提升器件的发光效率,从而提高器件性能。 | ||
搜索关键词: | 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 量子 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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