[发明专利]用于制造具有异质结和发射极扩散区的光伏太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造光伏太阳能电池的方法，所述光伏太阳能电池具有至少一个扩散渗入的扩散区和至少一个异质结，所述方法具有以下方法步骤：A.提供至少一个具有基区掺杂的半导体基板；B.在所述半导体基板的背面生成异质结，所述异质结具有掺杂的含硅的异质结层和直接或间接设置在异质结层与半导体基板之间的隧道电介质层；C.至少在所述半导体基板的与背面相对的正面上使所述半导体基板的表面纹理化；D.通过将至少一种具有与所述基区掺杂相反的掺杂类型的掺杂物扩散渗入所述半导体基板中，在所述半导体基板的正面上产生扩散区。