[发明专利]用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构有效
| 申请号： | 201910906709.0 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110635030B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 童浩;马平;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构，其中：垂直电极配置结构包括上层电极材料层、中间相变材料层、下层电极材料层；上层电极材料层和下层电极材料层为非对称上下电极结构，可进行源漏端交换；下层电极材料层的侧方、中间相变材料层的下方配置有绝缘介质保护层。对于低阻晶态，通过构造非对称的上下电极结构，相比较于正对垂直电极结构，增大了等效电阻R，减小了工作电流，避免大电流的隧穿，延长器件寿命。同时，非正对面积分量分流了串联通路电流，增大串联过程电流扩散，也使得工作电流减小，工作电流越小，亚稳态的晶相结构越不容易被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 相变 存储器 单元 垂直 电极 配置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构，其特征在于：/n所述垂直电极配置结构(100)包括上层电极材料层(120)、中间相变材料层(130)、下层电极材料层(140)；/n所述上层电极材料层(120)和下层电极材料层(140)为非对称上下电极结构，具有水平投影面积重叠的正对面积分量，也具有投影面积不重叠的非正对面积分量，且正对面积分量全部对应设置有所述中间相变材料层(130)，部分或全部非正对面积分量也对应设置有所述中间相变材料层(130)；上下电极结构可进行源漏端交换；所述下层电极材料层(140)的侧方、所述中间相变材料层(130)的下方配置有绝缘介质保护层(150)。/n
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