[发明专利]一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法有效

专利信息
申请号: 201910906867.6 申请日: 2019-09-24
公开(公告)号: CN110647014B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 罗先刚;王炯;蒲明博;马晓亮;李雄;赵泽宇 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法,包括以下步骤:步骤S1、工艺工装盘加工:采用具有稳定物理、化学性质的材料,通过光学、机械加工方法,加工用于薄膜微结构加工的工艺工装盘;步骤S2、薄膜刚性化:将薄膜通过粘结剂固定于工艺工装盘之上,使薄膜在各方向拉应力的作用下产生刚性化效果;步骤S3、无掩模直写光刻:通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等光刻工艺流程,在薄膜上加工微结构图案。该加工方法可以对薄膜实现非接触加工,加工过程基底不发生形变,可以有效保证微结构定位精度,同时还具有加工口径大,可通过套刻实现多台阶微结构加工的优点。
搜索关键词: 一种 基于 无掩模直写 光刻 薄膜 微结构 加工 方法
【主权项】:
1.一种基于无掩模直写光刻的薄膜微结构加工方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤S1、工艺工装盘加工:采用具有稳定物理、化学性质的材料,通过光学、机械加工方法,加工用于薄膜微结构加工的工艺工装盘;/n步骤S2、薄膜刚性化:将薄膜通过粘结剂固定于工艺工装盘之上,使薄膜在各方向拉应力的作用下产生刚性化效果;/n步骤S3、无掩模直写光刻:通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等光刻工艺流程,在薄膜上加工微结构图案。/n
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