[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910907145.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112635395A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 杨毅玲;汪飞亚 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供硅基体，在所述硅基体上形成二氧化硅绝缘层；于所述二氧化硅绝缘层上形成氮化钛层；对所述氮化钛层进行快速热氮化处理以将所述氮化钛层转化为氮化钛阻挡层，其中，所述快速热氮化处理包括第一阶段以及第二阶段，所述第一阶段包括向所述氮化钛层通入第一气体，所述第一气体包括氮气和氧气，所述第二阶段包括向所述氮化钛层通入第二气体，所述第二气体包括氨气；于所述氮化钛阻挡层上形成金属导电层。本发明还提供由上述方法制得的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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