[发明专利]功率分配单元电路及用于集成收发机系统的功率分配结构有效
| 申请号： | 201910907320.8 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110535502B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 马建国;杨圣辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04B7/0426 | 分类号： | H04B7/0426;H03L5/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
一种功率分配单元电路及用于集成收发机系统的功率分配结构，包括有N个功率分配单元电路，每一个功率分配单元电路均有一个输入端两个输出端，第一个功率分配单元电路的输入端连接外部输入信号IN，每个功率分配单元电路的两个输出端都分别连接一个功率分配单元电路的输入端，共同构成具有2 |
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| 搜索关键词： | 功率 分配 单元 电路 用于 集成 收发 系统 结构 | ||
【主权项】：
1.一种功率分配单元电路，其特征在于，包括有结构相同的第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M3)，所述第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M3)的漏极均通过漏极阻性负载结构(RD)接电源，源极均通过源极阻性负载结构(RS)接地，所述第一NMOS晶体管(M1)的栅极构成功率分配单元电路的输入端连接外部输入的信号IN，漏极连接第二NMOS晶体管(M2)的栅极，源极连接第三NMOS晶体管(M3)的栅极，所述第二NMOS晶体管(M2)的漏极通过第一平衡电阻(R1)接地，源极构成功率分配单元电路的一个输出端OUT1，该源极还通过第一电阻(R2)接地，所述第三NMOS晶体管(M3)的源极通过第二平衡电阻(R4)接地，漏极构成功率分配单元电路的另一个输出端OUT2，该漏极还通过第二电阻(R3)接地。/n
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