[发明专利]异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910907789.1 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110620155A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;裴智慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性器件领域，提出并制备一种基于柔性PET衬底的三层金属氧化物材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上依次形成有ITO底栅电极以及SiO | ||
| 搜索关键词： | 底栅结构晶体管 柔性器件 栅介质层 栅介质膜 掺杂区 衬底 制备 大规模集成电路 金属氧化物材料 柔性薄膜晶体管 硅薄膜晶体管 电路元器件 磁控溅射 低温工艺 底栅电极 光电器件 光刻工艺 应用提供 柔性PET 晶体管 三层 异质 离子 制造 图案 驱动 应用 | ||
【主权项】：
1.一种异质栅介质层柔性硅薄膜制造方法，其特征是，采用磁控溅射工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯PET衬底上形成ITO底栅电极以及SiO
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