[发明专利]一种可编程的幅相可调功率分配单元及可调功率分配网络有效
| 申请号： | 201910907794.2 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110687960B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 马建国;杨圣辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/66 | 分类号： | G05F1/66 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
一种可编程的幅相可调功率分配单元及可调功率分配网络，包括有2 |
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| 搜索关键词： | 一种 可编程 可调 功率 分配 单元 网络 | ||
【主权项】：
1.一种可编程的幅相可调功率分配单元，包括有结构相同的第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M3)，其特征在于，所述第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)和第三NMOS晶体管(M3)的源极分别通过一个源级电阻(RL1)接地，漏极分别通过一个漏级电阻(RL2)连接外部电源，其中，所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极连接第二NMOS晶体管(M2)的栅极，所述第一NMOS晶体管(M1)的源极连接第三NMOS晶体管(M3)的栅极，所述第二NMOS晶体管(M2)的源极构成可编程的幅相可调功率分配单元的第一输出端OUT1，所述第三NMOS晶体管(M3)的漏极构成可编程的幅相可调功率分配单元的第二输出端OUT2，所述第二NMOS晶体管(M2)的漏极还通过第一可调电阻(R1)接地，所述第三NMOS晶体管(M3)的源极还通过第二可调电阻(R2)接地，通过调节第一可调电阻(R1)和第二可调电阻(R2)的阻值，达到调节第一输出端OUT1和第二输出端OUT2的幅度和相位。/n
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