[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910908017.X | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110581181A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 姜春艳;吴昊;田亮;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第二端部 第一端部 基底 肖特基二极管 弧线 连线 光滑 肖特基二极管芯片 反向耐压 间隔设置 相对设置 侧面 碳化硅 嵌插 制备 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，包括基底，其特征在于，还包括：/n若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；/n连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。/n
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