[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
申请号: | 201910908309.3 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110568732A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 温志杰;魏伯州 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/22 | 分类号: | G03F7/22;G03F7/20 |
代理公司: | 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供一晶圆;按照预设曝光程式在所述晶圆表面多次曝光,形成多个曝光区域,其中,相邻两个曝光区域的曝光图形的方向相差90°。本发明采用棋盘光刻(Checkerboard lithograph)的方法,使得布局和图案密度导致的应力在X和Y方向上更加平衡,从而有利于降低晶圆翘曲度,进而保证加工过程中的翘曲窗口,特别是有利于保证后蚀刻工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 曝光区域 半导体结构 晶圆表面 晶圆翘曲 曝光图形 蚀刻工艺 曝光 光刻 晶圆 翘曲 预设 棋盘 保证 图案 平衡 制作 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/n提供一晶圆;/n按照预设曝光程式在所述晶圆表面多次曝光,形成多个曝光区域,其中,相邻两个曝光区域的曝光图形的方向相差90°。/n
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