[发明专利]一种半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910908309.3 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110568732A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 温志杰;魏伯州 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22;G03F7/20 |
| 代理公司： | 11479 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一晶圆；按照预设曝光程式在所述晶圆表面多次曝光，形成多个曝光区域，其中，相邻两个曝光区域的曝光图形的方向相差90°。本发明采用棋盘光刻(Checkerboard lithograph)的方法，使得布局和图案密度导致的应力在X和Y方向上更加平衡，从而有利于降低晶圆翘曲度，进而保证加工过程中的翘曲窗口，特别是有利于保证后蚀刻工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光区域 半导体结构 晶圆表面 晶圆翘曲 曝光图形 蚀刻工艺 曝光 光刻 晶圆 翘曲 预设 棋盘 保证 图案 平衡 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一晶圆；/n按照预设曝光程式在所述晶圆表面多次曝光，形成多个曝光区域，其中，相邻两个曝光区域的曝光图形的方向相差90°。/n
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