[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法有效
| 申请号： | 201910908744.6 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110483091B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 叶枫;金义程;叶健;张标;刘强;高晔 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00;C04B38/00;C04B35/584 |
| 代理公司： | 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 | 代理人： | 余威 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 陶瓷 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ(1)、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ(2)，其特征在于：所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ(1)和多孔氮化硅基体Ⅱ(2)相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ(1)和多孔氮化硅基体Ⅱ(2)，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ(1)和多孔氮化硅基体Ⅱ(2)。/n
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