[发明专利]一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器有效
| 申请号： | 201910909812.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110729396B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张吉涛;李康;张庆芳;陶加贵;武洁;陈冬雨;张培;姜利英;曹玲芝 | 申请（专利权）人： | 郑州轻工业学院 |
| 主分类号： | H01L41/12 | 分类号： | H01L41/12;H01L41/20;H01L41/47;G01R33/06 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 张立强 |
| 地址： | 450002 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明属于磁电传感器技术领域，涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，所述磁电薄膜传感器由磁电复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的铜线圈构成，多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 放大 能力 磁电 薄膜 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，其特征在于，所述磁电薄膜传感器由磁电复合层和MOS管组成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的线圈（12）构成，多层异质结构具体包括衬底层（1）、本征层（2）、n
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