[发明专利]图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件在审
| 申请号： | 201910910409.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620039A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 汪良;张洁;邓树军 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;C30B29/36 |
| 代理公司： | 11646 北京超成律师事务所 | 代理人： | 郭莲梅 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶体生长领域，具体而言，提供了一种图案化的碳化硅籽晶及其加工方法和应用、碳化硅晶体、外延层、半导体器件。该图案化的碳化硅籽晶包括籽晶表面，所述籽晶表面包括至少两个凸起，相邻两个凸起之间的凹槽的横截面积由下向上逐渐变大。该碳化硅籽晶的表面呈特定的凹凸结构，因而采用该籽晶进行碳化硅晶体的生长时，碳化硅原子优先生长于相邻两个凸起之间的凹槽，在该凹槽内生长时，缺陷生长方向由纵向逐渐转变为横向，当碳化硅原子填满该凹槽后，碳化硅原子开始纵向生长，因此横向生长的缺陷将消失，从而使碳化硅晶体的缺陷密度得到有效降低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅晶体 碳化硅籽晶 碳化硅 凸起 生长 籽晶表面 图案化 半导体器件 凹凸结构 横向生长 缺陷生长 逐渐变大 纵向生长 外延层 填满 籽晶 加工 应用 | ||
【主权项】：
1.一种图案化的碳化硅籽晶，其特征在于，包括籽晶表面，所述籽晶表面包括至少两个凸起，相邻两个凸起之间的凹槽的横截面积由下向上逐渐变大。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
