[发明专利]可降低寄生电容的ESD保护电路及降低ESD寄生电容的方法在审
| 申请号： | 201910910562.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563259A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李祥宇;金上;林丙村;雷家正;林余杰 | 申请（专利权）人： | 速博思股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 李岩 |
| 地址： | 中国台湾新北市汐止*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可降低寄生电容的ESD保护电路，包含：至少两个单向导通组件设置于一集成电路的一输出入端点与一正电位端之间，此至少两个单向导通组件之间形成一第一连接端；至少两个单向导通组件设置于该输出入端点与一负电位端之间，此至少两个单向导通组件之间形成一第二连接端；及一电压追踪电路。此电压追踪电路的输入端电气连接至该输出入端点，且其输出端至少电气连接至该第一连接端及该第二连接端其中之一；借由使该输出入端点与该第一连接端之间或该输出入端点与该第二连接端之间有相近的电压，可降低单向导通组件的寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 寄生 电容 esd 保护 电路 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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