[发明专利]一种半导体组件及直流断路器有效

专利信息
申请号: 201910910846.1 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN110535455A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 乔丽;王成昊;王治翔;张晓龙 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/08;H03K17/081;G05F1/46
代理公司: 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人: 张琳琳<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供的一种半导体组件及直流断路器,该半导体组件包括:电容器组、IGBT压装单元及至少一二极管压装单元。通过电容器组、IGBT压装单元及二极管压装单元的布局方式,可以有效利用电容器组与IGBT压装单元之间的空隙,使得本发明实施例提供的半导体组件的结构更加紧凑;还缩短了二极管压装单元与电容器组之间连接线的长度,从而降低了回路中的电感,保障了器件的安全;除此之外,这样的布局方式,使电容器组与二极管压装单元之间的距离最短,避免了半导体组件内部电流转移过程中发生电压过冲的问题;有利于在小型化的直流断路器中进行应用。并且该半导体组件也可作为可长期持续通流可实现大电流双向关断的半导体单元独立应用于一般直流电网装置。
搜索关键词: 压装 半导体组件 电容器组 二极管 直流断路器 布局方式 电感 半导体单元 连接线 电压过冲 内部电流 双向关断 直流电网 大电流 通流 紧凑 应用 安全
【主权项】:
1.一种半导体组件,其特征在于,包括:电容器组、IGBT压装单元及至少一二极管压装单元,其中,所述电容器组和所述IGBT压装单元分别设置于所述二极管压装单元的两侧。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司,未经全球能源互联网研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910910846.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top