[发明专利]一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型在审

专利信息
申请号: 201910910873.9 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN112580276A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 傅海鹏;杨丽平;马凯学 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 张义
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型,该模型可以根据所测试的MOS管性能参数的退化情况预测VCO电路性能参数的退化情况。该过程主要分为三步:第一步,对建模所用的MOS管和VCO电路进行HCI退化实验,得到不同直流应力下的MOS管和VCO电路的HCI退化情况;第二步,建立一个基于知识的神经网络的结构作为初始模型;第三步,将测试结果作为训练和测试数据,通过训练神经网络不断调整、优化模型结构,得到最优的模型。
搜索关键词: 一种 使用 基于 知识 神经网络 mos vco 电路 性能 hci 退化 模型
【主权项】:
暂无信息
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