[发明专利]一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型在审
| 申请号： | 201910910873.9 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112580276A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 傅海鹏;杨丽平;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型，该模型可以根据所测试的MOS管性能参数的退化情况预测VCO电路性能参数的退化情况。该过程主要分为三步：第一步，对建模所用的MOS管和VCO电路进行HCI退化实验，得到不同直流应力下的MOS管和VCO电路的HCI退化情况；第二步，建立一个基于知识的神经网络的结构作为初始模型；第三步，将测试结果作为训练和测试数据，通过训练神经网络不断调整、优化模型结构，得到最优的模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 基于 知识 神经网络 mos vco 电路 性能 hci 退化 模型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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