[发明专利]一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型在审
申请号: | 201910910873.9 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN112580276A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 傅海鹏;杨丽平;马凯学 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G06F30/30 | 分类号: | G06F30/30 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 张义 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种使用基于知识的神经网络的从MOS管到VCO电路性能的HCI退化模型,该模型可以根据所测试的MOS管性能参数的退化情况预测VCO电路性能参数的退化情况。该过程主要分为三步:第一步,对建模所用的MOS管和VCO电路进行HCI退化实验,得到不同直流应力下的MOS管和VCO电路的HCI退化情况;第二步,建立一个基于知识的神经网络的结构作为初始模型;第三步,将测试结果作为训练和测试数据,通过训练神经网络不断调整、优化模型结构,得到最优的模型。 | ||
搜索关键词: | 一种 使用 基于 知识 神经网络 mos vco 电路 性能 hci 退化 模型 | ||
【主权项】:
暂无信息
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