[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910910885.1 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957366A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 林杰峯;林志勇;于殿圣;杨筱岚;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 第一类器件包括在第一方向上延伸的第一鳍结构、第一栅极，以及设置在第一鳍结构上方的第一槽接触件。第一栅极在第二方向上延伸并具有在第一方向上测量的第一栅极尺寸。第一槽接触件具有在第一方向上测量的第一槽接触件尺寸。第二类器件包括：在第三方向上延伸的第二鳍结构、第二栅极，以及设置在第二鳍结构上方的第二槽接触件。第二栅极在第四方向上延伸并具有在第三方向上测量的第二栅极尺寸。第二槽接触件具有在第三方向上测量的第二槽接触件尺寸。第二槽接触件尺寸大于第二栅极尺寸并且大于第一槽接触件尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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