[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910911400.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957421B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 林灿;应继锋;赖志忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例涉及一种存储器器件。存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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