[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910911522.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110970439A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朴玄睦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11519 | 分类号： | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括第一和第二基板结构。第一基板结构包括：基底基板；在基底基板上的电路元件；在电路元件上的第一基板；在第一基板上并电连接到电路元件的第一存储单元；在第一存储单元上并连接到第一存储单元的第一位线；和在第一位线上以分别连接到第一位线的第一接合焊盘。第二基板结构包括：第二基板；在第二基板上的第二存储单元；在第二存储单元上并连接到第二存储单元的第二位线；和在第二位线上以分别连接到第二位线的第二接合焊盘。第一和第二基板结构通过将第一接合焊盘接合到第二接合焊盘而彼此连接，第一和第二接合焊盘垂直地在第一位线与第二位线之间，第一基板或第二基板不垂直地设置在第一位线与第二位线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
