[发明专利]加热基座以及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201910911850.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110556333A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王大为;薛超;郭松辉;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加热基座以及半导体加工设备，其中，所述加热基座包括加热腔体，所述加热腔体包括：腔体顶部，用于承载晶圆，所述腔体顶部采用柔性薄膜材料；腔体侧壁，所述腔体顶部与所述腔体侧壁相连接；腔体底部，所述腔体底部与所述腔体侧壁相连接，所述腔体底部与所述腔体顶部相对设置。采用本发明实施例提供的加热基座加热晶圆，可以使晶圆受热均匀，减少晶圆破片几率。 | ||
| 搜索关键词： | 腔体顶部 晶圆 加热基座 腔体侧壁 腔体 加热腔体 半导体加工设备 柔性薄膜材料 破片几率 受热均匀 相对设置 加热 承载 | ||
【主权项】：
1.一种加热基座，其特征在于，包括加热腔体，所述加热腔体包括：/n腔体顶部，用于承载晶圆，所述腔体顶部采用柔性薄膜材料；/n腔体侧壁，所述腔体顶部与所述腔体侧壁相连接；/n腔体底部，所述腔体底部与所述腔体侧壁相连接，所述腔体底部与所述腔体顶部相对设置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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