[发明专利]高压半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 201910912191.1 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563316A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许意侦;刘智华;黄凯易;叶达勋 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请提供了高压半导体装置以及其制作方法。高压半导体装置包括半导体基底、栅极结构、第一掺杂井区、第二掺杂井区与混合掺杂井区。第一掺杂井区、第二掺杂井区与混合掺杂井区设置于半导体基底中。第一掺杂井区的至少一部分与第二掺杂井区的至少一部分分别位于栅极结构于水平方向上的相对两侧。混合掺杂井区位于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。第一掺杂井区与第二掺杂井区分别包括第一导电形态掺杂物与第二导电形态掺杂物。混合掺杂井区包括混合掺杂物。混合掺杂物的一部分与第一导电形态掺杂物相同，且混合掺杂物的另一部分与第二导电形态掺杂物相同。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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