[发明专利]一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用

摘要

一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备技术领域，它的目的是针对CoSbSe作为热电材料所存在的制备过程所需温度较高、时间较长、能耗较高的问题。CoSbSe纳米片的制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合；三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解；四、碳布浸入步骤三的反应液中水热反应；五、将锑硒粉混合物和前驱体一同放入石英管中，抽真空密封，分两个阶段加热反应，得到CoSbSe纳米片。本发明得到的CoSbSe纳米片所需的制备温度大幅度降低，所需的制备时间大幅度减少，有利于清洁高效制备CoSbSe纳米片。

主权项

1.一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于该方法是按下列步骤实现：/n一、对碳布进行超声清洗，得到清洗后的碳布；/n二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合，研磨后得到锑硒粉混合物；/n三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解，得到反应液；/n四、将清洗后的碳布浸入步骤三的反应液中，在100～160℃下水热反应6～10h，反应结束后取出碳布，清洗干燥后得到前驱体；/n五、将锑硒粉混合物倒入石英管中，将前驱体一同放入石英管中，使锑硒粉混合物覆盖在前驱体表面，将石英管中真空度抽至1×10^-5Pa以下并密封，放入箱式炉，箱式炉升温过程分为两个阶段，第一阶段是以3～10℃/min的升温速率将炉温升到350～400℃，并保温20～40min，得到锑硒固溶体，第二阶段是以1～5℃/min的升温速率升温到700～800℃，并保温处理，自然冷却后取出碳布，清洗干燥后得到CoSbSe纳米片。/n