[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910912789.0 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110957296B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 曹佩华;吕宗兴;朱立寰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明一些实施例揭露一种半导体结构，其包含：第一衬底，其包含第一表面及与所述第一表面对置的第二表面；第二衬底，其包含第三表面及与所述第三表面对置的第四表面；聚合层，其安置于所述第一衬底的所述第二表面与所述第二衬底的所述第三表面之间；第一导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层；第二导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层；及第三导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层，其中所述第二导电通路安置于所述第一导电通路与所述第三导电通路之间，所述第二导电通路经配置以连接到信号源。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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