[发明专利]用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉在审
申请号: | 201910913385.3 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110510615A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 杜俊平;张鹏远;张超 | 申请(专利权)人: | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 宋合成<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 471023 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉,所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘,所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心,所述导流装置包括:导流罩,导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入底盘而造成还原炉内气体湍流;支撑件,支撑件沿竖向延伸,所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连;支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。根据本发明的用于多晶硅还原炉的导流装置,在不更换或改造还原炉的底盘的情况下,通过导流罩和过气部对原有还原炉内气体进行导流,可以大幅度优化还原炉内的流场,消除还原炉内因为进气口、出气口均垂直于还原炉的底盘而造成的进料气和尾气气体的相互对流、湍流情况。 | ||
搜索关键词: | 还原炉 底盘 出气口 导流罩 支撑件 导流装置 进气口 多晶硅还原炉 垂直 底盘中心 顶部封闭 气体湍流 竖向延伸 进料气 上端 湍流 导流 流场 下端 连通 对流 尾气 优化 改造 | ||
【主权项】:
1.一种用于多晶硅还原炉的导流装置,其特征在于,所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘,所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心,所述导流装置包括:/n导流罩,所述导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入所述底盘而造成还原炉内气体湍流;/n支撑件,所述支撑件沿竖向延伸,所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连;/n其中,所述支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。/n
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