[发明专利]光转换器件、其制备方法及具有其的显示装置

摘要

本发明提供了一种光转换器件、其制备方法及具有其的显示装置。该制备方法包括在基材层上顺序进行n次光刻处理的步骤，通过上述步骤得到图形化量子点结构和光刻胶固化层，形成的光刻胶固化层能够起到保护图形化量子点结构的作用，从而能够使图形化量子点结构具有较高的量子点浓度，提高了光转换器件的光转换效率。相比于现有技术中采用的量子点光刻胶，本发明仅采用普通的量子点胶水既能够得到上述图形化量子点结构，从而能够由高浓度量子点胶水实现光转换器件的高蓝光吸收率；并且，显影工序中显影剂接触的均为非目标像素区域，目标像素区域的量子点因为光刻胶固化层的保护而不会造成淬灭，有效保证了制备得到的光转换器件能够具有高发光效率。

主权项

1.一种光转换器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，在基材层(10)的第一表面形成多个像素隔离结构(20)，所述像素隔离结构(20)之间形成多个相互隔离的子像素区域；/nS2，在所述基材层(10)上顺序进行n次光刻处理，各次所述光刻处理包括：/n在所述基材层(10)上顺序形成量子点胶层和光刻胶层，所述光刻胶层位于所述量子点胶层远离所述基材层(10)的一侧，且所述量子点胶层中的部分填充于裸露的所述子像素区域中；/n对所述光刻胶层进行曝光和显影，使至少一个所述子像素区域裸露；/n将剩余的所述量子点胶层和所述光刻胶层固化，得到图形化量子点结构(30)和光刻胶固化层(40)，在各次所述光刻处理中，第m次所述光刻处理后裸露的所述子像素区域个数大于第于m+1次所述光刻处理后裸露的所述子像素区域个数，第m+1次所述光刻处理中形成的所述量子点胶层的部分填充于第m次所述光刻处理后裸露的所述子像素区域中，各所述光刻处理中得到的所述图形化量子点结构(30)在所述子像素区域中的正投影不重叠，其中，n≥m≥1，且n和m均为正整数。/n