[发明专利]一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910914003.9 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620157A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓外延层、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、势垒层、钝化层、第一阳极、介质层、第二阳极、阴极、保护层、阳极导通金属、阴极导通金属和场板层。本发明解决了半导体器件反向漏电大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阳极 缓冲层 阴极 导通 半导体技术领域 氮化镓外延层 金属 反向漏电 保护层 钝化层 介质层 势垒层 场板 衬底 制备 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：/n半导体衬底；/n第一缓冲层，其设置在所述半导体衬底上；/n第二缓冲层，其设置在所述第一缓冲层远离所述半导体衬底的一侧；/n第三缓冲层，其设置在所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的一侧；/n势垒层，其设置在所述第三缓冲层远离所述第二缓冲层的一侧；/n钝化层，其设置在所述势垒层远离所述第三缓冲层的一侧；/n第一阳极，其贯穿所述钝化层且伸入所述势垒层；/n介质层，其设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极与所述势垒层之间；/n第二阳极，其贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层；/n阴极，其设置在所述介质层上且贯穿所述介质层和所述钝化层；/n保护层，其设置在所述第一阳极、所述第二阳极、所述阴极与所述介质层上；/n阳极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阳极导通金属与所述第一阳极、所述第二阳极连接；/n阴极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阴极导通金属与所述阴极连接；/n场板层，其设置在所述保护层上，所述场板层与所述阳极导通金属连接，其中所述阳极导通金属、所述阴极导通金属和所述场板层同步形成。/n
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