[发明专利]氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201910914006.2 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620158A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 林信南;刘美华;刘岩军 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/328 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓外延层、半导体器件及所述半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括：半导体衬底、第一缓冲层、后处理层、第二缓冲层；势垒层、钝化层、第一阳极接触孔、第一阳极、介质层、第二阳极接触孔、第二阳极、阴极接触孔、阴极、保护层、阳极开孔、阳极导通金属、阴极开孔、阴极导通金属和场板层。本发明解决了当缓冲层为一层时，缓冲层与半导体衬底界面之间存在漏电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 缓冲层 阴极 半导体器件 阳极接触 衬底 导通 开孔 半导体 半导体技术领域 氮化镓外延层 金属 后处理层 阴极接触 保护层 钝化层 介质层 漏电流 势垒层 场板 制备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，其包括：/n半导体衬底；/n第一缓冲层，其设置在所述半导体衬底上；/n后处理层，其设置在所述第一缓冲层远离所述半导体衬底的一侧；/n第二缓冲层，其设置在所述后处理层远离所述第一缓冲层的一侧；/n势垒层，其设置在所述第二缓冲层远离所述后处理层的一侧；/n钝化层，其设置在所述势垒层远离所述第二缓冲层的一侧；/n第一阳极接触孔，其贯穿所述钝化层伸入所述势垒层中；/n第一阳极，其设置在所述第一阳极接触孔内；/n介质层，其设置在所述钝化层远离所述势垒层的一侧以及所述第一阳极与所述势垒层之间；/n第二阳极接触孔，其贯穿所述介质层、所述钝化层且伸入所述势垒层中；/n第二阳极，其设置在所述第二阳极接触孔内；/n阴极接触孔，其贯穿所述介质层和所述钝化层；/n阴极，其设置在所述介质层上及阴极接触孔内；/n保护层，其设置在所述第一阳极、所述第二阳极、所述阴极与所述介质层上；/n阳极开孔，其贯穿所述保护层以暴露所述第一阳极和所述第二阳极；/n阳极导通金属，设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阳极导通金属与所述第一阳极、所述第二阳极连接；/n阴极开孔，其贯穿所述保护层以暴露所述阴极；/n阴极导通金属，其设置在所述保护层远离所述介质层的一侧，且所述阴极导通金属与所述阴极连接；/n场板层，其设置在所述保护层上，所述场板层与所述阳极导通金属连接，其中所述阳极导通金属、所述阴极导通金属和所述场板层同步形成。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市晶相技术有限公司，未经深圳市晶相技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910914006.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
