[发明专利]一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910914853.9 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110656314A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王明;纪红;卢硕;赵秀红;孙爱斌;苏乐;张玉彪 | 申请（专利权）人： | 国合通用测试评价认证股份公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁控溅射技术领域的一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，包括：将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片，清洗干燥；将金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪角度，采用预溅射或划刻增大表面的摩擦力；将金属薄片放置在靶材上，根据合金纳米薄膜中金属元素的比例初步计算金属薄片的数量；按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜并进行成分分析测试，对比实际与理论元素成分，调节金属薄片的数量。本发明采用单个金属靶材溅射的方法避免磁控共溅射中多靶共溅射过程中互相干扰，产生靶材灭弧现象，以及单靶合金靶材溅射过程中原子间碰撞拥挤，制备的合金纳米薄膜成分均匀、稳定，并且节约成本，效率大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 合金纳米 金属薄片 薄膜 溅射 磁控溅射 金属靶材 靶材 制备 磁控溅射技术 磁控共溅射 成分分析 单靶溅射 合金靶材 互相干扰 金属加工 金属元素 清洗干燥 共溅射 硅基片 溅射靶 预溅射 单靶 多靶 划刻 灭弧 沉积 拥挤 测试 节约 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法，其特征在于，包括：/n1)将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片；/n2)对溅射用金属靶材和金属薄片分别利用丙酮和酒精进行超声清洗，然后用氮气吹干放置使用；/n3)将吹干的金属靶材安装在溅射靶枪上，调整靶枪的角度，靶枪与水平面的角度为60°,采用预溅射或划刻的方法增大靶材表面的摩擦力，保证靶材上放置金属薄片不脱落；/n4)将洗干净的金属薄片放置在步骤3)安装好的金属靶材上，根据需要溅射的合金纳米薄膜中金属元素的比例、实际溅射速率和溅射面积初步计算金属薄片的数量；相同功率条件下，计算所得金属薄片数量L满足公式：
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