[发明专利]RRAM阻变结构下电极的工艺方法在审
| 申请号： | 201910914900.X | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110707210A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 唐优青;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RRAM阻变结构下电极的工艺方法，提供形成RRAM阻变结构下电极的通孔结构；在通孔结构中填充TaN,之后研磨通孔结构表面使其平整；在通孔结构上形成TiN层；在该TiN层上形成RRAM阻变结构层。本发明将RRAM阻变结构下电极的通孔中填充TaN，在通孔结构上沉积TiN，将TaN和TiN相互组合得到填充充分良好的通孔，避免了直接使用TaN为电极对整个器件的影响，又同时得到较好填充的TiN且CMP后无碟状现象的下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔结构 变结构 下电极 填充 通孔 研磨 电极 碟状 沉积 平整 | ||
【主权项】：
1.RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供形成RRAM阻变结构下电极的通孔结构；/n步骤二、在所述通孔结构中填充TaN,之后研磨所述通孔结构表面使其平整；/n步骤三、在所述通孔结构上形成TiN层；/n步骤四、在该TiN层上形成所述RRAM阻变结构层。/n
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