[发明专利]以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺有效
| 申请号： | 201910915526.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110620177B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金向华;高如天;王新喜;孙猛 | 申请（专利权）人： | 金宏气体股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K10/46 | 分类号： | H10K10/46;H10K85/10;H10K71/00 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 姚惠菱 |
| 地址： | 215152 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；(4)以羰基硫作为N型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。使P型有机场效应晶体管材料转换成N型材料，大大拓宽了P型材料的范围，极大的丰富有机半导体的N型材料种类。 | ||
| 搜索关键词： | 羰基 作为 掺杂 有机 场效应 晶体管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种以羰基硫作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；/n(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；/n(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；/n(4)以羰基硫作为N型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层；/n(5)在步骤(4)得到的衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。/n
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