[发明专利]一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法有效
申请号: | 201910916430.0 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110649153B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 曹家强 | 申请(专利权)人: | 中电科技集团重庆声光电有限公司 |
主分类号: | H01L41/053 | 分类号: | H01L41/053;H01L41/312;C23C14/18 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 401332 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及声光器件技术领域,具体涉及一种多层金属薄膜键合层结构及其制备方法,一种多层金属薄膜键合层结构,包括:压电晶片和锗砷硒GeAsSe玻璃,其特征在于,分别在GeAsSe玻璃和压电晶片表面依次镀制Cr、Al、Ti、Sn金属膜层,GeAsSe玻璃的Sn膜层和压电晶片的Sn膜层键合在一起形成Cr、Al、Ti、Sn、Ti、Al、Cr七层金属膜键合层结构。本发明采用Cr、Al、Ti、Sn金属膜层代替传统的Cr、Sn薄膜结构,使得键合层与GeAsSe玻璃之间的的附着力大大增强;压电晶片与GeAsSe玻璃的剪切强度提高;声光器件切割后压电晶片附着牢固,器件可靠性和成品率得到有效提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 金属 薄膜 键合层 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多层金属薄膜键合层结构,包括:压电晶片和锗砷硒GeAsSe玻璃,其特征在于,GeAsSe玻璃上表面从下往上依次镀制有Cr、Al、Ti、Sn金属膜层,压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Al、Ti、Sn金属膜层,GeAsSe玻璃的Sn膜层和压电晶片的Sn膜层键合在一起形成Cr、Al、Ti、Sn、Ti、Al、Cr七层金属膜键合层结构。/n
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