[发明专利]喷射器和使用了该喷射器的基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 201910916456.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110993498A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 永田朋幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。提供能够在更靠近基板的位置供给处理气体的喷射器及使用了该喷射器的基板处理装置以及基板处理方法。一种在长度方向上延伸的喷射器，该喷射器具有：气体导入部，其在与所述长度方向垂直的截面上具有圆形或正多边形的截面形状，且不具有喷出孔；以及气体供给部，其在与所述长度方向垂直的截面上具有向一个方向突出的截面形状，在突出的部分的顶端沿着所述长度方向具有多个喷出孔，并且该气体供给部的所述长度方向上的一端与所述气体导入部连接。 | ||
| 搜索关键词： | 喷射器 使用 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910916456.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：调温块模块和用于样品的热处理的设备
- 下一篇：图像观察装置和摄像装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
