[发明专利]一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件有效
| 申请号： | 201910916495.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110690355B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 吴永伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 汪阮磊 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种钙钛矿薄膜及其制备方法、光电器件，本申请通过将可原位形成的交联聚合物的第一单体与第二单体按比例添加至钙钛矿前驱液中，形成第一混合液，并将第一混合液制备于基板上；然后进行退火制程，在此过程中第一单体与第二单体通过原位反应后生成第一聚合物，钙钛矿前驱液形成钙钛矿晶粒，该第一聚合物与钙钛矿晶粒结合并集中于钙钛矿晶粒的晶界处，从而钝化钙钛矿晶粒缺陷；之后通过固化制程形成钙钛矿薄膜。采用本申请的制备方法可大大提高钙钛矿薄膜的成膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n步骤S10，将第一单体与第二单体按照预设比例添加至钙钛矿前驱液中，搅拌均匀形成第一混合液，并将所述第一混合液制备于基板上；/n步骤S20，将表面制备有所述第一混合液的所述基板进行退火制程，所述第一单体与所述第二单体通过原位反应后生成第一聚合物，所述钙钛矿前驱液形成钙钛矿晶粒，所述第一聚合物与所述钙钛矿晶粒结合并集中于所述钙钛矿晶粒的晶界处；/n步骤S30，对所述第一混合液进行固化，形成所述钙钛矿薄膜；/n所述第一单体与所述第二单体分别如结构通式(Ⅰ)和(Ⅱ)所示：/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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