[发明专利]一种挠曲式压电微纳晶圆偏摆台有效
申请号: | 201910916803.4 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN112563179B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 韦宇涛 | 申请(专利权)人: | 深圳市向宇龙自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H02N2/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种挠曲式压电微纳晶圆偏摆台,包括压电驱动式微位移模块、陶瓷吸盘固定座、陶瓷吸盘和晶圆,所述压电驱动式微位移模块包括基体和安装在基体顶部的铰链主体,铰链主体内置有叠堆式压电陶瓷、挠曲式放大结构与双平行铰链结构,叠堆式压电陶瓷的位移端通过一级位移输入端与挠曲式放大结构输入端相连,挠曲式放大结构与双平行铰链结构通过一级位移输出端连接,二级位移输出端与输出端转接治具通过螺丝进行刚性连接,转接治具顶部固定有柱塞端部和柱塞弹性端,陶瓷吸盘固定座通过销孔与柱塞弹性端连接;本发明采用压电陶瓷作为动力驱动,通过多级位移放大机构对晶圆实现高精度调节。 | ||
搜索关键词: | 一种 挠曲 压电 微纳晶圆偏摆台 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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