[发明专利]集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法在审
| 申请号： | 201910917210.X | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111115550A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅;郭文政;毛威智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 互补 金属 氧化物 半导体 微机 系统 器件 及其 制法 | ||
【主权项】：
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