[发明专利]一种高质量硒化铋单晶体的制备方法在审
| 申请号： | 201910917871.2 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110512285A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张俊凯;刘扶阳;关壬铨;赵钊;张继野;张艳;刘闯 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 22204 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 | 代理人： | 石岱<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量硒化铋单晶体的制备方法，本发明通过适当调节Bi：Se的摩尔比，引入少量过量的Se作为传输剂，在不引入额外传输剂及助熔剂的条件下，同时解决了Se挥发性高不易制得理想配比的硒化铋化合物的问题，通过自掺杂效应实现了p型或n型高质量硒化铋单晶体的制备。本发明方法所合成的硒化铋单晶样品纯度高，化学计量比理想，且合成工艺简单、环保、先进，可重复性高；此合成产物对研究拓扑绝缘体材料的拓扑非平凡性具有显著的科学价值。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化铋 单晶体 制备 拓扑绝缘体材料 化学计量比 单晶样品 额外传输 合成产物 合成工艺 可重复性 理想配比 挥发性 传输剂 摩尔比 助熔剂 自掺杂 引入 拓扑 过量 合成 环保 研究 | ||
【主权项】：
1.一种高质量硒化铋单晶体的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：/n(1)、称取0.935g的Bi单质和0.55g的Se单质混合；/n(2)、将按步骤(1)称取的1.485g反应混合物置于壁厚1mm直径10mm的石英管中，使用分子泵抽真空(<10-3Pa)的条件下氢氧焰封管，封好的石英管长度为200mm；/n(3)、将按步骤(2)封好的石英管平放于卧式管式炉中，石英管中有原料的一段靠近管式炉热端，管式炉水平方向有10℃/cm的温度梯度，所以在封好的石英管中有20℃的温度梯度，这一温度梯度会确保晶体在低温端顺利生长，将管式炉以10℃/min的速率升温至650℃，保温24h，之后以2℃/min的速率冷却至室温，此时低温区石英管内壁上就生成了大量具有规则形貌的硒化铋单晶体。/n
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