[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910917900.5 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110970312B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡柏豪;游明志;许佳桂;郑心圃;庄博尧;林孟良;洪士庭;林柏尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例包括形成中介层，该中介层具有设置在中介层的核心层中的增强结构。中介层可以通过电连接件附接到封装器件。增强结构为封装器件提供刚性和散热。一些实施例可以包括中介层，该中介层在中介层的上部核心层中具有到凹陷接合焊盘的开口。一些实施例还可以在中介层和封装器件之间使用连接件，其中连接到中介层的焊料材料围绕连接到封装器件的金属柱。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
