[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910918281.1 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563200A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的芯层；在所述芯层的侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的顶部表面与所述芯层的顶部表面齐平；去除至少一个所述芯层的一侧壁上的所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙后的所述芯层的侧壁上形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙采用非相同材料。本发明利用第一侧墙和第二侧墙采用非相同材料，将不需要形成鳍部位置上的侧墙去掉，继续剩余的侧墙为掩膜刻蚀衬底形成鳍部时，在不需要形成鳍部的位置就不会形成鳍部，简化了鳍部的形成工艺，提高了形成的鳍部的质量，从而提高形成的半导体器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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