[发明专利]浅沟槽隔离化学机械平面化抛光中的高氧化物:氮化物选择性、低且均匀的氧化物沟槽凹陷在审
| 申请号： | 201910918469.6 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110951399A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;J·D·罗斯;K·P·穆瑞拉;周鸿君;M·L·奥内尔 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于浅沟槽隔离(STI)应用的化学机械平面化抛光(CMP)组合物。所述CMP组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为磨料，例如二氧化铈涂覆的二氧化硅颗粒或任何其他二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒作为核颗粒；合适的化学添加剂，其在同一分子中包含至少一个有机羧酸基团、至少一个羧酸盐基团或至少一个羧酸酯基团，和两个或更多个羟基官能团；和水溶性溶剂；和任选地，杀生物剂和pH调节剂；其中所述组合物的pH为2至12，优选3至10，并且更优选4至9。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 化学 机械 平面化 抛光 中的 氧化物 氮化物 选择性 均匀 凹陷 | ||
【主权项】：
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