[发明专利]用于诺氟沙星太赫兹微弱信号增强的超材料结构及方法有效

专利信息
申请号: 201910918545.3 申请日: 2019-09-26
公开(公告)号: CN110763650B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 李斌;霍帅楠;罗斌;陈怡每 申请(专利权)人: 北京农业信息技术研究中心
主分类号: G01N21/3586 分类号: G01N21/3586;G01N21/3577;G01N1/28;G01N1/38
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 苗晓静
地址: 100097 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种用于诺氟沙星太赫兹微弱信号增强的超材料结构及方法,超材料结构包括:从底部依次竖直向上设置的第三层结构、第二层结构和第一层结构;第三层结构为金属金层;第二层结构为聚酰亚胺层;第一层结构包括由金属金组成的三个四开口方环结构。本发明实施例提供的用于诺氟沙星太赫兹微弱信号增强的超材料结构,对周围环境非常敏感,即使周围环境发生微小变化,也会表现出较强的光学响应,经过实验验证,可实现诺氟沙星太赫兹微弱信号的有效增强,从而使得能够根据附着在超材料结构上待测样品的太赫兹时域光谱实现待测样品中诺氟沙星微弱含量的较好预测。
搜索关键词: 用于 诺氟沙星 赫兹 微弱 信号 增强 材料 结构 方法
【主权项】:
1.一种用于诺氟沙星太赫兹微弱信号增强的超材料结构,其特征在于,包括:从底部依次竖直向上设置的第三层结构、第二层结构和第一层结构;/n其中,第三层结构为金属金层;第二层结构为聚酰亚胺层;第一层结构包括由金属金组成的三个四开口方环结构,分别为第一四开口方环结构、第二四开口方环结构和第三四开口方环结构;其中,第一四开口方环结构的边长小于第二四开口方环结构的边长,第二四开口方环结构的边长小于第三四开口方环结构的边长,且第一四开口方环结构、第二四开口方环结构和第三四开口方环结构在第一层结构所在的平面内以同一中心点分布排列,其中,第三层结构的厚度为0.2μm,第二层结构的厚度为4.6μm,第一层结构的厚度为0.2μm。/n
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