[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910918651.1 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN111030431B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 佐藤克己 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M7/5387;H01L29/739 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置。串联连接地构成桥臂的P侧IGBT(200P)及N侧IGBT(200N)的每一者具有第一栅极(G1)及第二栅极(G2)。在对与P侧IGBT(200P)的集电极(C)对应的第一栅极(G1)的电压进行控制的驱动电路单元(100P‑1)、对与P侧IGBT(200P)的发射极(E)对应的第二栅极(G2)的电压进行控制的驱动电路单元(100P‑2)、及对与N侧IGBT(200N)的集电极(C)对应的第二栅极(G2)的电压进行控制的驱动电路单元(100N‑2)的每一者中,信号处理电路(111P、112P、112N)和输出电路(121P、122P、112N)之间通过绝缘分离构造电绝缘。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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