[发明专利]一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法有效
| 申请号： | 201910919643.9 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110713565B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 曲有乐;欧阳小琨;王南;黄芳芳 | 申请（专利权）人： | 浙江海洋大学 |
| 主分类号： | C08F220/06 | 分类号： | C08F220/06;C08F222/14;C08K9/10;C08K9/08;C08K3/22;C08K3/36;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 316100 浙江省舟山市普陀区普*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及印迹聚合物技术领域，公开了一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法。包括以下步骤：1）将四氧化三铁粉末加入无水乙醇中搅拌混合形成溶胶状混合液，滴加正硅酸乙酯，陈化；2）烷基化处理得烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒；3）将烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒加入超支化聚乙烯亚胺溶液得超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒；4）加入甲基丙烯酸单体交联反应，即得。以二氧化硅包覆四氧化三铁微球为载体，功能单体甲基丙烯酸在载体表面发生交联形成球状印迹聚合物微球，具有高比表面积，增多与模板分子结合位点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超支 pei 修饰 磁性 二氧化硅 分子 印迹 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超支化PEI修饰的磁性二氧化硅分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）将四氧化三铁粉末加入无水乙醇中搅拌混合形成溶胶状混合液，向混合液中加入氨水，搅拌混合均匀，滴加正硅酸乙酯，进行陈化3-6h，经过离心过滤，洗涤，干燥得二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒；/n2）将3-（2,3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷加入甲苯溶剂中搅拌溶解，向溶液中加入二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒，加热反应得烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒；/n3）将超支化聚乙烯亚胺加入去离子水中搅拌溶解得超支化聚乙烯亚胺溶液，将烷基化二氧化硅包覆四氧化三铁颗粒加入超支化聚乙烯亚胺溶液中，加热反应得超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒；/n4）将超支化聚乙烯亚胺接枝二氧化硅颗粒、紫杉醇、甲基丙烯酸单体加入丙酮溶剂中搅拌溶解，加入乙二醇二甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈，搅拌反应40-60min，磁性分离后经过索氏抽提洗净模板分子，干燥，即得。/n
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